IPU135N03LG

IPU135N03L G
PDF資料下載

IPU135N03L G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：13.5 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 15V
功率 - 最大值：31W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3